GISETCH®刻蚀技术 当前位置:主页 > 技术说明 > GISETCH®刻蚀技术
① 在涂层前，利用GIS气体离子源将氩气和氢气离化，产生的气体离子（Ar+和H+）在偏压作用下，对产品表面进行刻蚀清洗；
② 在涂层中，利用GIS气体离子源将氩气、氮气、氧气等反应气体离化，辅助溅射或电弧沉积；
GISETCH®的优点如下：
① 气体等离子体能量范围宽，可强可弱，适用于各种类型的工件；
② 有效去除表面氧化层，刻蚀清洗效果更彻底，膜基结合力好；
③ 辅助沉积，有利于涂层致密性、改善镀膜均匀性；
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