GISETCH®刻蝕技術 當前位置:主頁 > 技術說明 > GISETCH®刻蝕技術
① 在塗層前，利用GIS氣體離子源將氩氣和氫氣離化，產生的氣體離子（Ar+和H+）在偏壓作用下，對当前產品表面進行刻蝕清洗；
② 在塗層中，利用GIS氣體離子源將氩氣、氮氣、氧氣等反應氣體離化，輔助溅射或電弧沉積；
GISETCH®的優點如下：
① 氣體等離子體能量範圍寬，可強可弱，適用于各種類型的工件；
② 有效去除表面氧化層，刻蝕清洗效果更徹底，膜基結合力好；
③ 輔助沉積，有利于塗層致密性、改善镀膜均勻性；
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