磁控溅射是一種理想的金屬蒸發靶源：放電工作穩定、沉積速率易控、镀膜均勻好。但是，在進行化學反應性镀膜（TiN、TiO2）時，通入的反應性氣體，會造成磁控靶面的毒化（化學反應），蒸發速率的急劇降低…等一系列雪崩式後果，造成磁控溅射反應镀膜極大的不穩定性和不可控性，爲了解決這一問題，北京北方華創丹普表面技術有限公司開發出矩形氣體離子源（GIS）。
GIS的優點
● 無燈絲、無空心陰極、無熱陰極、無柵極，氣體離子源上不產生金屬溅射汙染；適用于任何惰性和反應性氣體，以及它們的混合氣；
● 結構簡單，絕緣性好、使用壽命長、很少維護需要；
● 矩形結構，與矩形磁控溅射源尺寸完全匹配，並向真空室镀膜區域均勻布氣；
● 在磁控溅射的真空範圍內，離子源能夠正常穩定放電工作；離子源需要進氣量符合磁控溅射源的工作條件；
● 端法蘭結構密封，方便安裝。360度任意調整布氣方向。
GIS技術的應用
1、GIMS-TiN（1微米以上的厚TiN膜），再镀Au（合金）或玫瑰金等（高档IPG）。單爐一次性完成；
2、GIMS-SS+TiN（厚膜），再镀Au（合金）或玫瑰金等（單爐一次性完成）。然後，再進行部分掩膜退去外層的TiN層和金層，實現白和金色的雙色效果；
3、通入Ar氣GIS放電，實現Ar離子的轟擊清洗功能---等離子體處理（清洗），代替了衛浴潔具電镀工件的水質超聲清洗功能。實現了綠色環保技術要求；
4、對集成電路表面進行GIS-Ar離子轟擊清洗，加強塑料封裝外殼表面金屬化的膜層結合力。
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